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[发明专利]一种氮化镓单晶材料及其制备方法-CN201810717305.2有效
发明人：谢奎;席少波;胡秀丽 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2018-07-03 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本申请公开了一种高质量氮化镓极性(0001)C面、非极性(10‑10)M面和(11‑20)A面单晶材料，以解决现有技术中氮化镓单晶材料异质生长和提高氮化镓器件性能的问题，大幅提高了氮化镓单晶材料的品质。所述氮化镓单晶材料包括A多孔氮化镓单晶晶体或多孔氮化镓单晶薄膜；和B氮化镓单晶薄膜；其中，所述B氮化镓单晶薄膜生长于所述A多孔氮化镓单晶晶体或多孔氮化镓单晶薄膜上。
一种氮化镓单晶材料及其制备方法

[发明专利]自支撑氮化镓衬底的制作方法-CN202111098433.1在审
发明人：任俊杰;王帅 -专利权人：东莞市中镓半导体科技有限公司
申请日： 2021-09-18 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种自支撑氮化镓衬底的制作方法，包括：1)提供一复合衬底，包括蓝宝石衬底以及氮化镓薄膜；2)于氮化镓薄膜上形成临时粘结层；3)将转移衬底通过临时粘结层键合于复合衬底上；4)通过激光剥离工艺剥离蓝宝石衬底；5)将承接衬底与氮化镓薄膜进行弱键合，并通过使临时粘结层失效以将转移衬底从氮化镓薄膜上剥离；6)在氮化镓薄膜上外延生长氮化镓外延层，通过氮化镓薄膜及氮化镓外延层与承接衬底之间晶格失配应力和/或热失配应力，使弱键合失效，以实现氮化镓薄膜与承接衬底之间的分离。本发明可有效克服晶格失配和热失配而导致异质氮化镓外延层厚度受限的缺陷，提高自支撑氮化镓衬底的质量，降低自支撑氮化镓衬底的制作成本。
支撑氮化衬底制作方法

[发明专利]一种氮化镓薄膜层的制备方法及衬底-CN201210424784.1在审
发明人：涂冶 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2012-10-30 - 公布日： 2014-05-14 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化镓薄膜层的制备方法及衬底。氮化镓薄膜层的制备方法包括以下步骤：获取间接衬底，并对所述间接衬底进行清洗；在所述间接衬底的表面形成石墨烯薄膜；在所述石墨烯薄膜的表面形成氮化镓薄膜层。该氮化镓薄膜层的制备方法可以有效减少氮化镓薄膜层生长过程中的位错密度，从而提高氮化镓薄膜层的性能。
一种氮化薄膜制备方法衬底

[发明专利]一种氮化镓薄膜及其制备方法-CN201910757927.2在审
发明人：邓承雨;芦子哲 -专利权人： TCL集团股份有限公司
申请日： 2019-08-16 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： C01B21/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓薄膜及其制备方法，其中，所述氮化镓薄膜的制备方法包括步骤：将镓盐溶液与胺类化合物混合，制备氮化镓前驱物溶液；将所述氮化镓前驱物溶液制成薄膜，在第一温度条件下对所述薄膜进行退火处理；在氨气氛围下将所述薄膜加热至第二温度，所述第二温度大于第一温度，制得所述氮化镓薄膜。本发明提供的氮化镓薄膜的制备方法对温度条件(温度不大于300℃)的要求较低，其操作简单，且制得的氮化镓薄膜均一性好，导电性能较佳。
一种氮化薄膜及其制备方法

[发明专利]制备自支撑GaN衬底的自分离方法-CN201811022456.2在审
发明人：修向前;李悦文;张荣;华雪梅;谢自力;陈鹏;刘斌;施毅;郑有炓 -专利权人：南京大学
申请日： 2018-09-03 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备自支撑氮化镓衬底的自分离方法，其步骤包括：在蓝宝石衬底上生长厚度范围在0.1‑1微米且分布均匀的氧化镓薄膜；在氨气气氛中对薄膜进行全部氮化，形成网格状分布的多孔氮化镓薄膜；在该多孔氮化镓薄膜上进行氮化镓厚膜的卤化物气相外延生长，获得低应力高质量氮化镓厚膜；外延完成后，降温至室温，外延氮化镓厚膜与蓝宝石衬底之间自然分离，得到自支撑氮化镓厚膜。
氮化镓厚膜衬底薄膜自支撑多孔氮化镓蓝宝石制备气相外延生长网格状分布氨气气氛自然分离氮化氮化镓低应力卤化物氧化镓生长

[发明专利]一种高导热氮化镓高功率HEMT器件的制备方法-CN202010393159.X有效
发明人：欧欣;伊艾伦;石航宁;游天桂;张加祥;黄凯;王曦 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2020-05-11 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种高导热氮化镓高功率HEMT器件的制备方法，其包括如下步骤：S1，提供生长有氮化镓的硅基异质集成碳化硅单晶薄膜结构，该生长有氮化镓的硅基异质集成碳化硅单晶薄膜结构包括氮化镓单晶薄膜、碳化硅单晶薄膜和第一硅支撑衬底；S2，通过柔性衬底或硬质衬底将氮化镓从第一硅支撑衬底转移到金属衬底上以得到高导热氮化镓高功率HEMT器件，该高导热氮化镓高功率HEMT器件包括氮化镓器件、碳化硅单晶薄膜和金属衬底。根据本发明的高导热氮化镓高功率HEMT器件的制备方法，通过转移将氮化镓转移到高绝缘高导热的金属衬底上，从而使得碳化硅单晶薄膜上生长的氮化镓器件在长时间工作状态下保持其器件性能。
一种导热氮化功率 hemt 器件制备方法

[发明专利]一种LED及其制备方法-CN202010425033.6在审
发明人：谭永胜;李秀东 -专利权人：绍兴文理学院
申请日： 2020-05-19 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供一种LED及其制备方法，包括单晶硅衬底，所述单晶硅衬底上依次沉积有二氧化硅薄膜、镍铂合金薄膜、多层石墨烯薄膜、氮化镓缓冲层、n型氮化镓薄膜、InGaN/GaN多量子阱层、p型氮化镓薄膜，所述p型氮化镓薄膜和n型氮化镓薄膜上设有金属电极，本发明提供了一种成本低的LED及其制备方法。
一种 led 及其制备方法

[发明专利]p型氮化镓为主的三族氮化物半导体薄膜的薄膜溅镀过程-CN201410192857.8有效
发明人：郭东昊;李成哲 -专利权人：郭东昊
申请日： 2014-05-08 - 公布日： 2017-09-05 - 主分类号： H01L21/203 文献下载
摘要：本发明提供一种p型氮化镓为主的三族氮化物半导体薄膜的薄膜溅镀过程，此技术所使用的靶材，其组成以氮化镓为主，另外还包含两种以上的金属组成，利用改变靶材组成，掺杂铜、镁、锌等金属，可以溅镀出p型氮化镓、氮化铝镓、氮化铟镓等半导体薄膜。靶材组成设计是主要关键，其中金属组成除了要考虑材料性质外，还需考量靶材致密化能力与金属合金化的能力，如此才能制作出p型氮化镓为主相的半导体薄膜。此类溅镀过程所得薄膜，可部分取代传统MOCVD制造LED所需以氮化镓为主相的三族氮化物薄膜，也可应用于需要三族氮化物的薄膜电子元件。
氮化为主氮化物半导体薄膜过程

[发明专利]氮化镓衬底、氮化镓单晶层及其制造方法-CN202210532921.7在审
发明人：张林;魏曙亮 -专利权人：镓特半导体科技（铜陵）有限公司
申请日： 2022-05-17 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明公开了氮化镓衬底、氮化镓单晶层及其制造方法，包括以下步骤：提供一衬底；在所述衬底上生长低温氮化镓，做高温处理，形成晶种；利用晶种生长形成氮化镓薄膜，通过控制厚度来控制应力，得到带有裂纹的氮化镓薄膜；在带有裂纹的氮化镓薄膜上形成氮化镓衬底。本发明的有益效果是利用金属有机化合物化学气相沉积（MOCVD）生长的氮化镓裂纹会使因晶格失配产生的应力得到释放，通过对氮化镓层厚度的控制，得到带有裂纹氮化镓薄膜‑图形掩膜衬底，这样再用氢化物气相外延（HVPE
氮化衬底镓单晶层及其制造方法

[发明专利]制备GaN衬底的自分离方法-CN201811016833.1在审
发明人：修向前;李悦文;张荣;华雪梅;谢自力;陈鹏;刘斌;施毅;郑有炓 -专利权人：南京大学
申请日： 2018-09-03 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备氮化镓衬底的自分离方法，其步骤包括：在蓝宝石衬底上生长厚度范围在1‑5微米且分布均匀的氧化镓薄膜；在氨气气氛中对薄膜进行表面层部分氮化，形成多孔网格状结构分布的氮化镓/氧化镓复合薄膜；在该复合薄膜上进行氮化镓厚膜的卤化物气相外延生长，获得低应力高质量氮化镓厚膜；外延完成后，降温至室温，外延氮化镓厚膜与衬底之间自然分离，得到自支撑氮化镓衬底材料。
衬底氮化镓厚膜复合薄膜氮化镓氧化镓制备薄膜氮化镓衬底材料气相外延生长氮化氨气气氛多孔网格自然分离蓝宝石表面层低应力卤化物自支撑生长

[发明专利]一种氮化镓基功率器件的外延结构及制备方法-CN202211065984.2在审
发明人：唐军;冯欢欢;何欣超;潘尧波 -专利权人：中电化合物半导体有限公司
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L29/30 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化镓基功率器件的外延结构及制备方法，具体涉及氮化镓外延层生长领域。氮化镓基功率器件的外延结构的制备方法包括:提供一衬底，并对所述衬底进行图形化处理；在所述图形化处理的衬底上生长石墨烯薄膜；在所述石墨烯薄膜上生长氮化硼薄膜；在所述氮化硼薄膜上生长氮化铝薄膜；在所述氮化铝薄膜上生长氮化镓缓冲层；在所述氮化镓缓冲层上生长AlGaN势垒层；在所述AlGaN势垒层上生长氮化镓帽层。本发明通过在衬底上引入二维材料可以有效的改善氮化镓基功率器件热量传输及缺陷问题，提高器件的稳定性和可靠性。
一种氮化功率器件外延结构制备方法

[发明专利]一种在硅衬底上生长氮化镓薄膜的方法、结构及功率器件-CN201710069158.8在审
发明人：李东键;金荣善;金权济;骆薇薇;孙在亨 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2017-02-08 - 公布日： 2018-08-14 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种在硅衬底上生长氮化镓薄膜的方法、结构及功率器件，通过在氮化镓薄膜和硅衬底之间生长第一、第二氮化铝层和缓冲层作为中间层，以抑制镓与硅之间产生反应；并且，通过在第二氮化铝层与氮化镓薄膜之间生长缓冲层，使得第二氮化铝层和氮化镓薄膜的晶格常数、热膨胀系数等物理特性能够协调连接；以及，通过制作第一纳米结构绒面和第二纳米结构绒面而保证生长的第一、第二氮化铝层的品质高；综合上述因素，以最终保证氮化镓薄膜品质高
氮化镓薄膜氮化铝层生长硅衬底功率器件纳米结构缓冲层绒面热膨胀系数晶格常数物理特性中间层保证制作协调

[发明专利]一种在硅衬底上生长氮化镓薄膜的方法、结构及功率器件-CN201710069165.8有效
发明人：李东键;金荣善;金权济;骆薇薇;孙在亨 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2017-02-08 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种在硅衬底上生长氮化镓薄膜的方法、结构及功率器件，通过在氮化镓薄膜和硅衬底之间生长第一、第二氮化铝层和缓冲层作为中间层，以抑制镓与硅之间产生反应；并且，通过在第二氮化铝层与氮化镓薄膜之间生长缓冲层，使得第二氮化铝层和氮化镓薄膜的晶格常数、热膨胀系数等物理特性能够协调连接；以及，通过制作第一纳米结构绒面和第二纳米结构绒面而保证生长的第一、第二氮化铝层的品质高；综合上述因素，以最终保证氮化镓薄膜品质高
一种衬底生长氮化薄膜方法结构功率器件

[发明专利]基于六方氮化硼和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法-CN201610334060.6有效
发明人：张进成;庞凯;陈智斌;吕佳骐;朱家铎;许晟瑞;林志宇;宁静;张金;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2016-05-19 - 公布日： 2019-02-19 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于六方氮化硼和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法，主要用于改善氮化镓材料质量。其生长步骤是：(1)生长六方氮化硼过渡层；(2)磁控溅射氮化铝成核层；(3)热处理；(4)生长氮化铝过渡层；(5)生长低V‑Ш比氮化镓层；(6)生长高V‑Ш比氮化镓薄膜。本发明的氮化镓薄膜的优点在于，结合了六方氮化硼和磁控溅射氮化铝，具有材料质量好，适用衬底范围大的优点，可用于制作氮化镓外延薄膜及器件。
基于氮化磁控溅射生长方法

[发明专利]一种超薄氮化镓肖特基二极管材料结构-CN202111630619.7在审
发明人：王新强;王琦;梁智文 -专利权人：北京大学东莞光电研究院
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本申请公开了一种超薄氮化镓肖特基二极管材料结构，包括衬底材料层、氮化铝薄膜层、N型氮化镓薄膜层、金属欧姆接触层和金属肖特基接触层；其中所述衬底材料层顶侧设置有氮化铝薄膜层，所述氮化铝薄膜层顶侧设置有N型氮化镓薄膜层，所述N型氮化镓薄膜层右端顶侧设置有金属欧姆接触层，与其对应的所述N型氮化镓薄膜层左端顶侧设置有金属肖特基接触层。该种超薄氮化镓肖特基二极管材料结构设计新颖、结构简单，解决现有氮化镓上材料器件可靠性问题，可以实现高质量高耐压肖特基二极管，可以有效避免传统器件材料的缓冲层及掺杂层，直接通过氮化薄膜铝层把器件功能层与衬底材料层结合在一起
一种超薄氮化镓肖特基二极管材料结构

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